SKハイニックスは3月、11兆9,500億ウォン相当のEUV装置を発注し、納入期限は2027年末。
サムスン電子は、2028年の稼働を目指す平沢第5ライン（P5）に合わせて装置を発注済み。納期が最大で従来の2倍に延びており、前倒しを検討している。
両社とも追加発注が予定されており、投資額はさらに膨らむ可能性がある。
メモリー好況の中で最も貴重なのは、チップではなくチップを作る装置になった。
8日、業界によると、サムスン電子とSKハイニックスは、オランダASMLの極端紫外線（EUV）露光装置を競うように発注し、それぞれ10兆～20兆ウォン規模を投じているという。
SKハイニックスは3月24日、約11兆9,500億ウォン相当のEUV装置を購入すると公示した。2024年末の総資産の9.97％に当たる金額で、装置価格に加え、設置・改造費用も含まれる。納入期限は2027年12月31日だ。同社は、HBMやサーバー・モバイル向け汎用DRAMの需要に対応し、1c（10ナノ級第6世代）プロセスへ移行するための投資だと説明した。
サムスン電子は平沢への投資に合わせて発注を増やしている。昨年11月、平沢第5ライン（P5）を含む、今後5年間で総額450兆ウォンの国内投資計画を発表し、2028年の稼働を目標に掲げた。P5は、1棟のファブ当たりの投資額が60兆ウォンを超えるとされる。
業界では、P5の第1段階のクリーンルームが来年上半期に完成すれば、装置の搬入が始まるとみている。サムスン電子は、このラインに導入する露光装置をすでに発注している。
◆ EUVとは
半導体は、ウェハーと呼ばれる円盤状の基板に光で回路を描いて作る。光の波長が短いほど、より細い線を描ける。EUVは波長13.5ナノメートルの光を使う。従来の装置より波長がはるかに短く、細い回路を一度に描ける。それ以前は、細い線を描くために同じ場所を複数回に分けて露光する多重パターニングが使われていた。工程が増え、不良も増えていた。EUVはその回数を減らし、精度と歩留まりを高める。
DRAMは世代が進むほど、EUVへの依存度が高まる。回路の間隔が狭くなり、EUVなしでは製造できない層が増えるためだ。市場調査会社トレンドフォースによると、SKハイニックスは1c DRAMにEUVを5層以上適用する計画で、前世代より2層増えるという。適用する層が増えれば、装置もより多く必要になる。
サムスン電子は2020年3月、業界で初めてEUVを適用したDRAMモジュールを出荷し、メモリー業界で最も多くのEUV装置を保有しているとされる。SKハイニックスは2021年2月、利川のM16に初のEUV装置を導入し、昨年9月には量産用の最新High-NA EUV装置を業界で初めて搬入した。サムスン電子も9月8日、ASMLとの協力拡大を発表し、2028年までにHigh-NA EUVをDRAMの量産に導入すると明らかにした。
◆ ASML「生産しても足りない」
装置を製造しているのはASML一社だけだ。同社は第3四半期の業績発表で、2027～2028年の供給は顧客の需要を満たせないと明らかにした。今年のEUV出荷台数は約65台で、昨年の44台から約50％増える見通しだ。
2027年に生産能力を30％増やし、2028年にはさらに30％増強する案も検討しているが、それでも不足するとの見方を示している。第3四半期のASMLのシステム売上高に占めるメモリー企業の割合は46％だった。主力製品の値上げ効果は来年から反映され、2028年に全面的に表れる見込みだとASMLは説明した。
重要装置の納期が従来の最大2倍に延びたため、両社は発注時期を前倒しする案も検討している。状況に応じて追加発注も予定されており、設備投資額はさらに増える可能性が高いと業界はみている。
◆ 後工程も2～3年分の注文が滞留
チップを積み重ねて接合する後工程装置の業界にも、2～3年分の注文が集中している。業界によると、ハンミ半導体やアムコなどでは、発注の取りまとめが最終段階に入った。各社は、HBMの製造に使われる熱圧着（TC）ボンダーなど、AIデータセンター向け工程装置の生産能力を拡大している。
半導体業界の関係者は「AIデータセンター向けのチップは、大容量・高性能を実現するため、先端の前工程だけでなく、複数の方法でチップを接合・連結する後工程の重要性も高まっている」と述べた。さらに、「ハンミ半導体やアムコなども、前工程企業の好況とともに恩恵を受けるほかない、そうしたエコシステムの構造が形成されている」と語った。